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J-GLOBAL ID：200903055391869787
多層ガスセンサー
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院名古屋工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998156741
Publication number (International publication number)：1999326258
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Nov. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体ガスセンサーのガス選択性を改善し、1つのセンサーで、メタンと一酸化炭素を選択的に検知できるガスセンサー素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 メタンガスセンサーの表面に一酸化炭素ガスセンサーを被覆した積層構造を気相法でつくり、メタンの検知のさいに妨害となる一酸化炭素を遮断する触媒膜としての機能を一酸化炭素ガスセンサー層に与えることを特徴とするガスセンサー素子の製造方法。【効果】 1つの素子で複数のガスを選択性良く検知できるようにしたセンサーを提供することが可能であり、ガスセンサーとして好適である。
Claim (excerpt)：
メタンセンサーの表面を一酸化炭素センサーで被覆した積層構造を製造し、メタンの検知のさいに妨害となる一酸化炭素を遮断する触媒膜としての機能を一酸化炭素センサー層に与え、1つの素子でメタンと一酸化炭素の両方を選択性良く検知できるようにすることを特徴とする半導体ガスセンサー素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01N 27/12 B
, C01G 19/02 Z
