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J-GLOBAL ID:200903055394209125

半導体製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998106429
Publication number (International publication number):1999297675
Application date: Apr. 16, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 プラズマ下での処理において、イオン衝突によるパーティクルの発生を抑えることができ、被処理体を所望形状に処理することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】 真空チャンバ内でプラズマ下で被処理体に処理を施す半導体製造装置であって、前記被処理体を載置する載置手段と、前記真空チャンバ内にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空チャンバから排気するための排気手段と、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を具備し、前記真空チャンバは、プラズマが集中する部分が耐プラズマ性材料で構成され、その他の部分がSiO2 で構成されることを特徴とする。
Claim (excerpt):
真空チャンバ内においてプラズマ下で被処理体に処理を施す半導体製造装置であって、前記被処理体を載置する載置手段と、前記真空チャンバ内にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空チャンバから排気するための排気手段と、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を具備し、前記真空チャンバは、プラズマが集中する部分が耐プラズマ性材料で構成され、その他の部分がSiO2 で構成されることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/203
FI (2):
H01L 21/302 B ,  H01L 21/203 S

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