Pat

J-GLOBAL ID：200903055394619560

半導体装置およびその動作方法

Inventor： 小玉 光文 ,  杉浦 和司 ,  山内 幸夫 ,  坂本 直哉 ,  荒井 三千男
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  ティーディーケイ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297492
Publication number (International publication number)：1995130974
Application date： Nov. 02, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光信号を電気信号として増幅する機能を有する固体撮像素子を得る。【構成】 結晶性の珪素薄膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極に電圧を印加した状態で当該薄膜トランジスタの活性層領域に光を照射し、その際のソース・ドレイン間を流れる電流より光信号を電気信号として計測する。活性層領域を構成する珪素薄膜を結晶性珪素薄膜とすることで、光照射によって発生するキャリアの104 〜105 倍の電流変化を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に設けられた結晶性を有するシリコンを用いた活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記活性層に接してソース領域とドレイン領域と、を有し、前記活性層は、光が照射されることで光キャリアを発生させ、前記光キャリアの内、ゲイト絶縁膜との界面近傍を流れるキャリアと反対の極性を有する光キャリアが該活性層内に一時的に蓄積されることで、前記活性層領域の抵抗は変化し、該活性層領域の抵抗変化に従うソース・ドレイン間を流れる電流変化から、前記活性層に照射された光を検出することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-206969
  
• 特開平4-233774
  
• 特開昭63-260167