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J-GLOBAL ID：200903055401664690

半導体装置の製造方法

Inventor： 藤本 裕雅 ,  西嶋 将明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993024594
Publication number (International publication number)：1994244299
Application date： Feb. 15, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】従来のFET製造工程を利用して任意の特性インピーダンスを持ったマイクロストリップ線路製造を可能とする。【構成】FET等の能動素子が形成された半導体基板11上に任意の誘電率をもった層を形成した後、マイクロストリップ線路を形成する。前記の層として、アモルファスシリコン31を使用し、マイクロスプリット線路を形成する。【効果】FET製造工程でマイクロストリップ線路も形成するため、MMICの集積度向上が容易に実現できる。また、誘電体膜の種類を増やしたり厚みを変えることによって、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスを容易に変えることができる。更に、アモルファスシリコン層を用いれば光の照射の有無によって回路の特性インピーダンスを容易に可変できるため、FET間や回路間の最適整合が容易に実現できる。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタなどの能動素子をあらかじめ形成した半導体基板上に任意の誘電率(導電率)を持った層を形成し、所定の部分以外をエッチング工程によって除去した後前記の所定部分上にマイクロストリップ線路を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭53-020526
  
• 特開昭63-314818