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J-GLOBAL ID：200903055433224846
ウェハ裏面クリーニング方法およびそれを用いたエッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992186712
Publication number (International publication number)：1994037073
Application date： Jul. 14, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェハの裏面に付着した異物を除去し、特にエッチング工程において、面内の均一性によりエッチング特性を向上できるウェハ裏面クリーニング方法およびそれを用いたエッチング装置を提供する。【構成】 ウェハ裏面のクリーニング工程を有するエッチング装置であって、搬入用のウェハカセット、半導体ウェハ1の裏面異物を除去するウェハ裏面クリーニング部3、ロードロック室、エッチング処理室、後処理室、アンロードロック室および搬出用のウェハカセットから構成されている。そして、ウェハ裏面クリーニング部3には、半導体ウェハ1が支持アーム14により保持され、その上部に静電気を除電するイオナイザー15が設置され、さらに半導体ウェハ1の底面には吸引のための排気管16が配設されている。
Claim (excerpt)：
半導体ウェハの裏面に付着した異物を除去するウェハ裏面クリーニング方法であって、前記半導体ウェハを除電して前記異物の吸着力を弱め、その後該半導体ウェハの裏面を排気して前記異物を除去することを特徴とするウェハ裏面クリーニング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
