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J-GLOBAL ID：200903055434388010

電界効果トランジスタ

Inventor： 亀山 敦 ,  長岡 正見
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995250415
Publication number (International publication number)：1997092818
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は高gm高線形性を有する、高歩留の電解効果トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は電解効果トランジスタに係り、第1の半導体層と第1の半導体層の表面に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップの狭い半導体層であり第1の半導体層に隣接する表面領域のバンドギャップが、反対側の表面領域のバンドギャップよりも狭い第2の半導体層と、第2の半導体層の表面に形成され、第2の半導体層よりもバンドギャップの広い第3の半導体層とが備えられたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層と、第1の半導体層の表面に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップの狭い半導体層であり、第1の半導体層に隣接する表面領域のバンドギャップが、反対側の表面領域のバンドギャップよりも狭い第2の半導体層と、第2の半導体層の表面に形成され、第2の半導体層よりもバンドギャップの広い第3の半導体層と、が備えられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03F 3/193

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H03F 3/193