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J-GLOBAL ID：200903055434708200

半導体装置の製造方法

Inventor： 閑野 義則
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 佐々木 宗治 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993126438
Publication number (International publication number)：1994338575
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 製造工程の一部を更改して、スカムの完全な除去が容易で、その結果リフロー耐性の優れた半導体装置を得ることの可能な製造方法を提供する。【構成】 ワイヤーボンディングの前工程で、ワイヤーボンドに必要な領域すなわちAlパッド22を含む半導体チップ表面にホトレジスト膜24を形成した後に感光性ポリアミド酸を主成分とするワニスを用いたウェハコート材を塗布し、プリベーク・露光を行った後現像液によりホトレジスト膜24及び非感光部のウェハコート材を除去した後、残部のウェハコート材を硬化してウェハコート25を形成するものである。

Claim (excerpt)：

表面に感光性のウェハコートを施した半導体チップを樹脂封止してなる半導体装置の製造方法であって、樹脂封止前の工程中のワイヤーボンディングの前工程で、ワイヤーボンドに必要な領域を含む前記半導体チップ表面にホトレジスト膜を形成した後ウェハコート材を塗布し、プリベーク・露光を行った後現像液により前記ホトレジスト膜及び非感光部の前記ウェハコート材を除去した後、残部の前記ウェハコート材を硬化して前記ウェハコートを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/60 301