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J-GLOBAL ID：200903055452628575

窒化アルミニウムの製法

Inventor： 米屋 勝利 ,  多々見 純一 ,  目黒 竹司 ,  末廣 隆之 ,  松尾 秀逸 ,  柘植 章彦
Applicant, Patent owner： ファインセラミックス技術研究組合 ,  米屋 勝利
Agent (1)： 滝田 清暉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000285874
Publication number (International publication number)：2002097006
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Apr. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、アルミナをアンモニア及び炭化水素から成る混合ガス中で還元窒化反応させることにより窒化アルミニウムを製造する方法に関し、この還元窒化反応をより詳細に検討し、粒子形態に注目した生成粉末の特性評価を行なうことにより、モルフォロジーに関する解析や条件の最適化等を検討した。【解決手段】 この発明は、アルミナをアンモニア及び炭化水素から成る混合ガス中で還元窒化反応させることにより窒化アルミニウム(AlN)を製造する方法において、該アルミナがδ-Al2O3及びθ-Al2O3の少なくとも一方を含むことを特徴とする窒化アルミニウムの製法である。この出発物質であるアルミナの形状を所望の形状にしておくことにより、その形状を保持したAlNを得ることができる。生成するAlNは、窒化の程度によって、完全にAlNとすることも、また未反応のAl2O3を含むAlN/Al2O3複合物(この場合には外皮部分がAlN、内部がAl2O3となる。)とすることもできる。

Claim (excerpt)：

アルミナをアンモニア及び炭化水素から成る混合ガス中で還元窒化反応させることにより窒化アルミニウムを製造する方法において、該アルミナがδ-Al2O3及びθ-Al2O3の少なくとも一方を含むことを特徴とする窒化アルミニウムの製法。

IPC (2)：

C01B 21/072 ,  C04B 35/581

FI (2)：

C01B 21/072 G ,  C04B 35/58 104 Q

F-Term (10)：

4G001BA03 ,  4G001BA75 ,  4G001BB03 ,  4G001BB36 ,  4G001BC12 ,  4G001BC45 ,  4G001BD03 ,  4G001BD05 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-300319
  
• 窒化アルミニウム質固形体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-206027   Applicant：東芝セラミックス株式会社, 東芝モノフラックス株式会社
• 高熱伝導性窒化アルミニウム固形体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-308754   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• 特開平3-141108