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J-GLOBAL ID：200903055460360832

圧力センサの製造方法

Inventor： 古田 一吉
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175311
Publication number (International publication number)：1994018345
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高圧下でも高感度な圧力センサを製造できるようにする。【構成】 半導体圧力センサにおいて、ダイアフラム1が過剰に変位しないようにメサ3の部分を低くして、ガラス基板1とはりあわせる。また、シリコンウエハ9とガラスウエハで基準室4を形成する場合に測定圧力付近の圧力雰囲気で陽極接合する。【効果】 高圧下で高感度で低圧下でも破損しない圧力センサの製造ができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の一部に形成したダイアフラムの圧力変化による撓み量を電気信号に変換して圧力値を検出する半導体圧力センサにおいて、前記シリコン基板の一方の面に基準室となる凹部を設けてダイアフラムを形成し、該ダイアフラムの基準室に相対する裏面に、外気導入穴を形成して設けられたストッパーを設け、前記ストッパーに相対するダイアフラム裏面に、前記ダイアフラムの変移量分の隙間をもってメサ部を形成すると共に、前記基準室側のシリコン基板の上面に圧力センサの所望の測定レンジの圧力雰囲気中でガラス基板を陽極接合したことを特徴とする圧力センサの製造方法。

IPC (2)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84