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J-GLOBAL ID：200903055467440602

プラズマCVD装置およびプラズマCVD膜の形成方法

Inventor： 松瀬 充貴 ,  篠原 久人
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001257750
Publication number (International publication number)：2003073835
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置において、基板表面以外への反応生成物の付着を抑制することにより、稼働率を向上させ、なおかつ高い成膜速度を実現する。【解決手段】 実質的に分離されたプラズマ生成領域と処理領域とを有し、前記プラズマ生成領域は、処理領域に配置されている基板に対して垂直方向に配置されているカソード電極と、これに実質的に対向配置されるように形成・配置されているアノード電極とを有し、前記カソード電極とアノード電極との間の間隙の一部を開放してプラズマを処理領域に供給するプラズマ供給口とし、前記カソード電極は、処理領域に反応性ガスを供給するための反応性ガス供給路を有し、かつこの反応性ガス供給路の開口部が前記プラズマ生成領域から導入されたプラズマ中に存在する位置にあり、前記プラズマ生成領域は、プラズマ生成ガスが導入されてプラズマを生成し、前記処理領域は、プラズマ供給口からに導入されたプラズマ中に反応性ガス供給路から反応性ガスが供給されて基板表面に生成反応物からなる膜を形成する構成のプラズマCVD装置とした。

Claim (excerpt)：

実質的に分離されたプラズマ生成領域と処理領域とを有し、前記プラズマ生成領域は、処理領域に配置されている基板に対して垂直方向に配置されているカソード電極と、これに実質的に対向配置されるように形成・配置されているアノード電極とを有し、前記カソード電極とアノード電極との間の間隙の一部を開放してプラズマを処理領域に供給するプラズマ供給口とし、前記カソード電極は、処理領域に反応性ガスを供給するための反応性ガス供給路を有し、かつこの反応性ガス供給路の開口部が前記プラズマ生成領域から導入されたプラズマ中に存在する位置にあり、前記プラズマ生成領域は、プラズマ生成ガスが導入されてプラズマを生成し、前記処理領域は、プラズマ供給口からに導入されたプラズマ中に反応性ガス供給路から反応性ガスが供給されて基板表面に生成反応物からなる膜を形成するプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

F-Term (14)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045BB15 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045EE13 ,  5F045EE14 ,  5F045EH16