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J-GLOBAL ID：200903055483854379

レジストパターン形成方法

Inventor： 松尾 隆弘 ,  小泉 太一 ,  遠藤 政孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278640
Publication number (International publication number)：1996213313
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 回折光を用いることなくレジストパターンのライン幅を予測することにより、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきがなく安定したライン幅が得られるようにする。【解決手段】 露光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと所定の現像時間におけるレジストパターンのライン幅との間の第1の相関関係を求めておく。選択図に示すような、露光エネルギー毎における所定の現像時間とレジストパターンのライン幅との間の第2の相関関係を求めておく。実際に露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを測定して潜像高さを求める。第1の相関関係から、潜像高さと所定の現像時間とに対応するレジストパターンのライン幅である予測ライン幅を求める。第2の相関関係から、所定の現像時間と予測ライン幅とに対応する露光エネルギーである予測露光エネルギーを求める。第2の相関関係から、レジストパターンの所望のライン幅と予測露光エネルギーとに対応する現像時間を求め、該現像時間に基づき現像を行なってレジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工程と、所定のパターンが露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程とを備えたレジストパターン形成方法であって、露光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと現像工程においてレジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメーターの所定値におけるレジストパターンのライン幅との間の第1の相関関係、及び、露光エネルギー又は露光焦点よりなる露光条件毎における前記パラメーターの所定値とレジストパターンのライン幅との間の第2の相関関係を求めておく工程と、実際に露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを測定して潜像高さを求める工程と、前記第1の相関関係から、前記潜像高さと前記パラメーターの所定値とに対応するレジストパターンのライン幅である予測ライン幅を求める工程と、前記第2の相関関係から、前記パラメーターの所定値と前記予測ライン幅とに対応する前記露光条件である予測露光条件を求める工程と、前記第2の相関関係から、レジストパターンの所望のライン幅と前記予測露光条件とに対応する前記パラメーターの値を求め、該パラメーターの値に基づきレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521