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J-GLOBAL ID：200903055494876994
磁性多層膜および磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361376
Publication number (International publication number)：1994200364
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 19, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】 基板2上に下地層3を形成し、この下地層3上に、非磁性薄膜4を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜5を有する磁性多層膜1において、前記下地層3が、NiFeまたはNiFeCoにZr、Nb、HfおよびTaのうち少なくとも一種が添加された材料で形成されている。【効果】 本発明によれば、小さい外部磁場で数%〜数十%の大きい抵抗変化率をもつ磁性多層膜が得られる。従って高感度のMRセンサおよび高密度磁気記録が可能なMRヘッド等のすぐれた磁気抵抗変化素子を提供することができる。
Claim (excerpt)：
基板上に下地層を形成し、この下地層上に、非磁性薄膜を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜を有する磁性多層膜において、前記下地層が、NiFeまたはNiFeCoにZr、Nb、HfおよびTaのうち少なくとも一種が添加された材料で形成されていることを特徴とする磁性多層膜。
IPC (3)：
C23C 14/14
, C23C 14/32
, H01L 43/02
Cited by examiner (5)
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