Pat

J-GLOBAL ID：200903055497643958

荷電粒子ビーム投射方法および装置

Inventor： 梅村 馨 ,  川浪 義実 ,  間所 祐一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994301814
Publication number (International publication number)：1996162389
Application date： Dec. 06, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】ステンシルマスクを用いた島状遮蔽領域を有する環状領域への荷電粒子ビーム投射方法および装置を提供する。【構成】荷電粒子源1と、ステンシルマスク4を保持するマスクステージと、試料7を保持する試料ステージと、ステンシルマスク4に照射する荷電粒子の照射光学系と、マスクのパターンを試料7上に投射する荷電粒子の投射光学系とを備えた荷電粒子照射装置で、マスクの後段に荷電粒子ビームの軌道を変える偏向器20,21を設置した。

Claim (excerpt)：

荷電粒子の通過できる開口または凹部からなるパターンを備えたステンシルマスクに荷電粒子ビームを照射し、上記ステンシルマスクを透過した上記荷電粒子ビームを試料に照射して上記ステンシルマスクのパターンを試料上に投射する荷電粒子ビーム投射方法において、島状の孤立遮蔽領域を含む投射形状の荷電粒子ビーム投射方法であって、上記ステンシルマスクにおける島状遮蔽部を支える支持部を有するステンシルマスクを用いて、上記荷電粒子ビームによって上記支持部の影部を含むパターンを投射する第一の投射工程と、上記ステンシルマスクの開口の一部に荷電粒子ビーム照射を行い、上記ステンシルマスクを通過した上記荷電粒子ビームを偏向して、上記第一の投射工程によって生じた上記支持部の影部に荷電粒子ビームを照射する第二の投射工程からなることを特徴とする荷電粒子ビーム投射方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/317

FI (3)：

H01L 21/30 541 R ,  H01L 21/30 541 J ,  H01L 21/30 551