Pat

J-GLOBAL ID：200903055510789991

絶縁膜とその製造方法、および半導体装置とその製造方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999024526
Publication number (International publication number)：2000223486
Application date： Feb. 02, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 有機膜上にCVD法により無機膜を形成すると、酸素ラジカルによって有機膜が酸化され劣化する。またCVD膜を安定的に薄く形成することは困難であり、またCVD装置は高価であり、半導体装置のコストの増大を招く。【解決手段】 絶縁膜1を構成する有機膜2中でかつその界面近傍にシリコン酸化物を偏析させてなるシリコン酸化物を含む層3、4を備えたもので、シリコン酸化物を含む層4上に化学的気相成長法によって堆積させた無機物層5を備えていてもよく、また、図示はしないが、上記絶縁膜1が複数層に積層されていてもよい。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を構成する有機膜中でかつその界面近傍にシリコン酸化物を偏析させてなるシリコン酸化物を含む層を備えたことを特徴とする絶縁膜。

IPC (2)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 S

F-Term (46)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR26 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX33 ,  5F058AA06 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA09 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF38 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02