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J-GLOBAL ID：200903055518183626

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 岩瀬 正幸
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994196173
Publication number (International publication number)：1996046292
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光ファイバとの結合が容易でかつ結合効率が高い半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体レーザ素子には、基板10上に形成したレーザ活性層12のレーザ放出端面を成す一方の側壁22とこの側壁22に対向し基板の主面と45度の角度を成す傾斜側壁24とを有する溝が形成される。溝表面には高反射膜28が塗布され、傾斜側壁24の表面が傾斜鏡面を構成する。溝内には、レーザ放出端面と傾斜鏡面との間にコア層30を有する光導波路が形成される。光導波路のコア層30の幅は、レーザ活性層12の端面側でレーザのモードフィールドの径に、傾斜鏡面側で光ファイバのモードフィールドの径に夫々一致させる。光導波路の上側クラッド層32には、放出されるレーザ光を集光するレンズ及び光ファイバのためのファイバガイドが設けられる。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の主面上に形成され該主面と平行方向にレーザ光を放出する端面を有するレーザ活性層と、前記端面に対向して前記基板上に形成され前記主面に対して傾斜する傾斜鏡面と、前記端面と前記傾斜鏡面との間に形成されて前記端面から前記傾斜鏡面にレーザ光を導く光導波路とを備えることを特徴とする半導体レーザ素子。