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J-GLOBAL ID：200903055525415346

半導体装置の製造方法

Inventor： 篠原 衛
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992078345
Publication number (International publication number)：1993243201
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板を水溶液または純水で処理する工程(洗浄工程等)を備える場合に、その処理が確実かつ充分に行える技術を提供すること。【構成】 半導体基板を水溶液または純水で処理する工程III を有する半導体装置の製造方法において、該半導体基板を水溶液または純水で処理する前に水に対する溶解度の大なる気体に晒す工程IIを行う半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板を水溶液または純水で処理する工程を有する半導体装置の製造方法において、該半導体基板を水溶液または純水で処理する前に水に対する溶解度の大なる気体に晒すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-234535
  
• 特開昭63-234535