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J-GLOBAL ID：200903055552407029

半導体装置の配線形成方法

Inventor： 公野 由美子
Applicant, Patent owner： ミツミ電機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994100621
Publication number (International publication number)：1995283317
Application date： Apr. 13, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高周波スパッタリングにより形成されるグラファイト層のみが除去され、層間絶縁膜自体は、除去されないようにした、半導体装置の配線形成方法を提供することを目的とする。【構成】表面に酸化膜12が形成された半導体基板11上に、第一の配線層13を形成し、その上にポリイミド系樹脂から成る層間絶縁膜14を形成し、該層間絶縁膜にスルーホール14aを形成して、高周波スパッタリングにより該スルーホール14aの開口部にあたる該第一の配線層13aをエッチング処理した後、該層間絶縁膜の表面に、第二の配線層15を形成するようにした、半導体装置10の配線形成方法において、上記高周波スパッタリングにより層間絶縁膜14の表面に形成されたグラファイト層14bが、第二の配線層を形成した後に、アニール処理によって、除去されるように、半導体装置の配線形成方法を構成する。

Claim (excerpt)：

表面に酸化膜が形成された半導体基板上に、第一の配線層を形成し、その上にポリイミド系樹脂から成る層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にスルーホールを形成して、高周波スパッタリングにより、該スルーホール開口部にあたる第一の配線層をエッチング処理した後、該層間絶縁膜の表面に、第二の配線層を形成するようにした、半導体装置の配線形成方法において、上記高周波スパッタリングにより層間絶縁膜の表面に形成されたグラファイト層が、第二の配線層を形成した後に、アニール処理によって、除去されることを特徴とする、半導体装置の配線形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 D