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J-GLOBAL ID：200903055558510867
モノリシツクマイクロ波集積回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221550
Publication number (International publication number)：1993063408
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 従来のMMICに比較して大幅に小型化したMMICを提供する。【構成】 半導体基板101上に形成され、回路素子103,105,106と第1の伝送導体104とからなる電気回路と、半導体基板及び電気回路を覆うように形成された第1の誘電体膜107と、第1の誘電体膜を覆うように形成された接地導体膜108と、接地導体膜を覆うように形成された第2の誘電体膜109と、第2の誘電体膜上に形成された第2の伝送導体110と、第1の誘電体膜を貫通して電気回路と接地導体膜とを電気的に接続するための第1の接続手段と、接地導体膜と電気的に絶縁され、第1の誘電体膜と接地導体膜と第2の誘電体膜とを貫通して電気回路と第2の伝送導体とを電気的に接続するための第2の接続手段とを備え、第1の伝送導体と接地導体膜とによって第1の分布定数線路を構成するとともに、第2の伝送導体と接地導体膜とによって第2の分布定数線路を構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成され、回路素子と上記回路素子に電気的に接続された第1の伝送導体とからなる電気回路と、上記半導体基板及び上記電気回路を覆うように形成された第1の誘電体膜と、上記第1の誘電体膜を覆うように形成された接地導体膜と、上記接地導体膜を覆うように形成された第2の誘電体膜と、上記第2の誘電体膜上に形成された第2の伝送導体と、上記第1の誘電体膜を貫通して上記電気回路と上記接地導体膜とを電気的に接続するための第1の接続手段と、上記接地導体膜と電気的に絶縁され、上記第1の誘電体膜と上記接地導体膜と上記第2の誘電体膜とを貫通して上記電気回路と上記第2の伝送導体とを電気的に接続するための第2の接続手段とを備え、上記第1の伝送導体と上記接地導体膜とによって第1の分布定数線路を構成するとともに、上記第2の伝送導体と上記接地導体膜とによって第2の分布定数線路を構成することを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。
IPC (4)：
H01P 3/02
, H01P 3/08
, H01P 5/22
, H03F 3/60
