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J-GLOBAL ID：200903055560708461

多結晶半導体膜の製造方法

Inventor： 綾 洋一郎 ,  佐野 景一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115176
Publication number (International publication number)：1995321052
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶粒径が拡大された多結晶半導体膜の製造方法を提供することである。【構成】 出発材料となる半導体膜3が基板1上に形成されたサンプル5を、圧電振動素子7からなる基板ホルダ6上に固定する。圧電振動素子7に電圧を印加して超音波振動を発生させるとともに、レーザ光9によりレーザアニールを行い半導体膜3を溶融再結晶化させる。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体膜を出発材料として多結晶半導体膜を製造する方法において、前記基板または前記半導体膜に超音波を印加しつつ前記半導体膜を加熱して溶融させた後、再結晶させることにより多結晶半導体膜を形成することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-296509
  
• 特開平1-214011
  
• 特開昭63-027011
  
• 半導体被膜の結晶化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228620   Applicant：東燃株式会社