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J-GLOBAL ID：200903055566028179

ダイヤモンド半導体装置

Inventor： 宮田 浩一 ,  斉藤 公続
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994108805
Publication number (International publication number)：1995321346
Application date： May. 23, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体ダイヤモンド層と、この半導体ダイヤモンド層上に形成された高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層上に形成された電極とを有するダイヤモンド半導体装置において、高温又は急激な昇降温に対しても特性が劣化せず良好な整流性電極及び/又はオーミック電極を有するダイヤモンド半導体装置を提供する。【構成】 窒化シリコン基板29上に、高抵抗ダイヤモンド層23、Bドープダイヤモンド層24及び高抵抗ダイヤモンド層25を順次形成し、この高抵抗ダイヤモンド層25上にTiからなるゲート電極26並びにNiからなるソース電極27及びドレイン電極28を形成する。その後、熱処理を施し、ゲート電極26と高抵抗ダイヤモンド層25との界面にTi炭化物の層26aを形成すると共に、ソース電極27及びドレイン電極28からNiを拡散させてNi拡散領域27a,28aを形成し、このNi拡散領域27a,28aを介してソース電極27及びドレイン電極28とBドープダイヤモンド層24との間でオーミック接続を得る。

Claim (excerpt)：

半導体ダイヤモンド層と、この半導体ダイヤモンド層よりも高抵抗でその上に形成された高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層上に炭化物形成金属で形成された電極とにより構成された整流素子構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体装置。