Pat

J-GLOBAL ID：200903055567303858

レジストパターン形成方法

Inventor： 中野 律子 ,  廣瀬 実
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118278
Publication number (International publication number)：1996316121
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 炭素膜上にレジストパターンを精密に現像して形成するため,炭素膜表面の濡れ性を向上する。【構成】 反射防止膜となる炭素膜4上に堆積されたレジスト膜6を露光し現像してレジストパターン6aを形成するレジストパターン形成方法において,炭素膜4の表面を酸化処理して炭素膜4表面を親水性にする。酸化処理は,強酸性溶液,オゾン,オゾン水溶液又は酸素プラズマに暴露して行う。

Claim (excerpt)：

炭素膜上に堆積されたレジスト膜を露光し現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において,該炭素膜の表面を酸化処理して該炭素膜表面を親水性にする工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503

FI (4)：

H01L 21/30 563 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574