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J-GLOBAL ID：200903055573651051
半導体装置におけるメタルプラグの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087459
Publication number (International publication number)：1993259110
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】バリアメタル層及び成長核層を開口部内のみに簡単に形成することができるメタルプラグの形成方法を提供する。【構成】メタルプラグの形成方法は、半導体基板10上に形成された層間絶縁層14に開口部16を形成した後、バリアメタル層22を形成し、次いで選択CVD法で開口部内にメタルプラグ24を形成する方法である。そして、(イ)層間絶縁層14の上表面及び開口部16内にバリアメタル層22を形成した後、メタルプラグを形成すべき配線材料を結晶成長させるための成長核24を該バリアメタル層22上に形成する工程と、(ロ)層間絶縁層の上表面に形成された成長核24及びバリアメタル層22をポリッシュ法によって除去する工程と、(ハ)前記成長核から、選択CVD法によって配線材料を結晶成長させ、開口部16内にメタルプラグ26を形成する工程、から成る。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された層間絶縁層に開口部を設けた後、バリアメタル層を形成し、次いで選択CVD法で開口部内にメタルプラグを形成する方法であって、(イ)層間絶縁層の上表面及び開口部内にバリアメタル層を形成した後、メタルプラグを形成すべき配線材料を結晶成長させるための成長核を該バリアメタル層上に形成する工程と、(ロ)層間絶縁層の上表面に形成された成長核及びバリアメタル層をポリッシュ法によって除去する工程と、(ハ)前記成長核から、選択CVD法によって配線材料を結晶成長させ、開口部内にメタルプラグを形成する工程、から成ることを特徴とする、半導体装置におけるメタルプラグの形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/205
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
Cited by examiner (7)
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