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J-GLOBAL ID：200903055582867326

窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング及び電極形成方法

Inventor： 真部 勝英 ,  小滝 正宏 ,  森 正樹 ,  橋本 雅文
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  新技術事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032658
Publication number (International publication number)：1996274081
Application date： Sep. 22, 1989
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体におけるエッチング方法の提供及び電極のオーミック性を改良すること。【解決手段】 塩素又は/及びフッ素を含むガスのプラズマガスで、少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体のドライエッチングが可能となった。又、少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体をドライエッチングする方法において、不活性ガスのプラズマガスでドライエッチングすることで、その面に形成される電極のオーミック性が向上した。さらに、塩素又は/及びフッ素を含むガスのプラズマガスで化合物半導体をドライエッチングし、ドライエッチングされた化合物半導体の面を、続いて、不活性ガスのプラズマガスでドライエッチングすることで、その面に形成される電極のオーミック性が向上した。

Claim (excerpt)：

塩素又は/及びフッ素を含むガスのプラズマガスで、少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体をドライエッチングする方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/88 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-009442
  
• 特開昭51-028483
  
• 特開昭63-126272