Pat

J-GLOBAL ID：200903055586277558

半導体装置

Inventor： 山本 靖浩 ,  榎本 和宏
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998216614
Publication number (International publication number)：2000049155
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の正数を意味し、複数個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサンオリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなるシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。

Claim (excerpt)：

一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の正数を意味し、複数個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサンオリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなるシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K

F-Term (13)：

5F033AA66 ,  5F033BA17 ,  5F033BA44 ,  5F033EA05 ,  5F033EA06 ,  5F033EA29 ,  5F058AA04 ,  5F058AC03 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02