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J-GLOBAL ID：200903055594219591
プラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145785
Publication number (International publication number)：1994333879
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 下部電極支持台と処理室の伝導壁との相対的位置関係にかかわらず安定したRF回路を形成する。【構成】 本発明によれば、従来のように線条の導電性部材を用いずに、弾性部材により下部電極支持台と処理室の導電性壁とを直接電気的に導通させることにより、上記下部電極支持台と上記処理室の導電性壁とを結ぶ電気的導通経路が短いRF回路を、上記下部電極支持台と上記処理室の導電性壁との相対的位置関係にかかわらず、確実に形成することができるので、外部ノイズや異常放電の発生を効果的に防止することができる。
Claim (excerpt)：
接地された導電性壁から成る処理室と、その処理室内に設置されその処理室の導電性壁と電気的に絶縁されるとともに高周波電源に接続された下部電極と、その下部電極と電気的に絶縁されかつその下部電極を昇降させる下部電極支持台とを備えたプラズマ処理装置において、上記下部電極支持台と上記処理室の導電性壁とを、上記下部電極支持台の昇降方向に対して略直交する方向において上記下部電極支持台を押圧するように弾性力が作用する弾性部材により、電気的に導通させたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, H01L 21/203
, H01L 21/205
