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J-GLOBAL ID：200903055604706097
薄膜形成装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
臼村 文男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992098654
Publication number (International publication number)：1993271911
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 19, 1993
Summary：
【要約】【構成】 円筒状の基板ホルダ33を回転し、内周側から蒸発源21,23により蒸着物質をイオン化装置22,24によりイオン化してイオンプレーティングする。一方、外周側からターゲット15,19をスパッタして薄膜を形成する。【効果】 蒸着ゾーンからスパッタゾーンへの基板の搬送、反転と必要せず、同一箇所で基板の両面に蒸着薄膜とスパッタ薄膜とを形成でき、スパッタ法と蒸着法の利点を活用することができる。
Claim (excerpt)：
薄膜を形成すべき多数の基板を、基板全体の集合体が略円筒体を形成するように搭載し、この略円筒体の仮想軸を中心に回転する基板ホルダーと、前記略円筒体の内周面側に配置された蒸着薄膜形成部材と、前記略円筒体の外周面側に配置されたスパッタ薄膜形成部材とを具えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3)：
C23C 14/22
, C23C 14/34
, C23C 14/50
