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J-GLOBAL ID：200903055611650978

触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法

Inventor： 山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 秋山 敦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999310381
Publication number (International publication number)：2001131741
Application date： Oct. 29, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な薄膜を形成するための触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明に係る触媒スパッタリングによる薄膜形成方法では、真空容器1中において、基板10とターゲット4との間に熱触媒体5を配置して、スパッタリングにより基板に薄膜を形成する。このとき、熱触媒体5を加熱し、真空容器1中に、不活性ガスと共に、水素ガス,酸素ガス,窒素ガスのうち少なくとも一種のガスを導入して、ターゲット4に含まれる金属を含む薄膜を前記基板10上に堆積させる。

Claim (excerpt)：

真空容器中において、基板とターゲットとの間に熱触媒体を配置して、スパッタリングにより基板に薄膜を形成する触媒スパッタリングによる薄膜形成方法であって、前記基板上に薄膜を形成するときに、前記熱触媒体を加熱し、前記ターゲットに含まれる金属を含む薄膜を前記基板上に堆積させることを特徴とする触媒スパッタリングによる薄膜形成方法。

IPC (8)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (11)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/34 M ,  C23C 14/34 N ,  C23C 14/34 T ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/31 D ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 G

F-Term (107)：

4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB09 ,  4K029BB10 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DA08 ,  4K029DA12 ,  4K029DC00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029FA04 ,  4K029KA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD39 ,  4M104DD41 ,  4M104GG10 ,  4M104GG20 ,  4M104HH13 ,  5F045AA19 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB37 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045CA15 ,  5F045DP02 ,  5F045DP16 ,  5F045DQ17 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F052DA01 ,  5F052DB07 ,  5F052FA12 ,  5F103AA08 ,  5F103BB23 ,  5F103BB43 ,  5F103DD03 ,  5F103DD16 ,  5F103DD17 ,  5F103DD27 ,  5F103GG01 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE06 ,  5F110EE27 ,  5F110EE44 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-050957