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J-GLOBAL ID：200903055612646885

半導体装置

Inventor： 寺岡 康宏 ,  上田 哲也 ,  島本 晴夫 ,  立川 透
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170888
Publication number (International publication number)：1993021514
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 突起電極およびインナーリードが少ない場合でも、過大圧力によって半導体チップにダメージを与えることなく、インナーリードの垂れ量のバラツキが少ないボンディングを可能とし、封止もチップを露出させない良好なものとする。【構成】 突起電極2を有する半導体チップ1上にチップ内回路とは電気的接続状態をもたないダミー突起電極10を形成する。インナーリード3aを有するテープキャリア4上にインナーリード3aとは電気的接続状態をもたないダミーインナーリード11aを形成する。突起電極2とインナーリード3aとのボンディングと同時にダミー突起電極10とダミーインナーリード11aとをボンディングしてある。

Claim (excerpt)：

半導体チップの突起電極とテープキャリア上のインナーリードとをボンディングし、アウターリードを突出させる状態で少なくとも半導体チップを封止樹脂で被覆してある半導体装置であって、前記半導体チップ上にこのチップ内の回路とは電気的接続状態をもたないダミー突起電極を形成する一方、前記テープキャリア上に前記インナーリードとは電気的接続状態をもたないダミーインナーリードを前記ダミー突起電極に対応させて形成し、このダミー突起電極とダミーインナーリードとを、通常の突起電極とインナーリードとのボンディングと同時にボンディングしてあることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/44