Pat
J-GLOBAL ID：200903055615693884
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000182937
Publication number (International publication number)：2002008366
Application date： Jun. 19, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 単一のトランジスタに複数の磁性記憶素子を積層して、素子数が少なくメモリ集積度を大幅に向上した磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。【解決手段】 各々が磁気的に情報を記憶する複数の磁性記憶素子と、複数の磁性記憶素子の各々に接続され、各々が相互に電気的に接続されている複数のビット線と、複数の磁性記憶素子の各々に磁界を印加して情報を書き込むために、複数の磁性記憶素子の各々の近傍に対応して配置され、各々が相互に電気的に接続されている複数の書き込み用ワード線と、第1の端子と第2の端子とを備え、第1の端子は、第2の端子に電流を流すか否かを決定するために利用される単一の読み込み用ワード線に接続され、第2の端子は、複数の磁性記憶素子の各々に接続されたスイッチとを備えた、磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。
Claim (excerpt)：
各々が磁気的に情報を記憶する複数の磁性記憶素子と、前記複数の磁性記憶素子の各々に接続された複数のビット線であって、その各々が相互に電気的に接続されている複数のビット線と、前記複数の磁性記憶素子の各々に磁界を印加して前記情報を書き込むために、前記複数の磁性記憶素子の各々の近傍に対応して配置された複数の書き込み用ワード線であって、その各々が相互に電気的に接続されている複数の書き込み用ワード線と、第1の端子と第2の端子とを備えたスイッチであって、前記第1の端子は、前記第2の端子に電流を流すか否かを決定するために利用される単一の読み込み用ワード線に接続され、前記第2の端子は、前記複数の磁性記憶素子の各々に接続されたスイッチとを備えた、磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
Cited by applicant (2)
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特開昭58-056296
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特開昭63-306600
Cited by examiner (2)
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特開昭58-056296
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特開昭63-306600
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