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J-GLOBAL ID:200903055619587469

スルホン化高分子膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001396377
Publication number (International publication number):2003192805
Application date: Dec. 27, 2001
Publication date: Jul. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】プロトン伝導性、ガス遮断性、機械的特性などの特性を均一に発現させるとともに、膜-電極接合体の調製時において、接合部分の欠陥が生じにくい燃料電池用膜として有用な皺、脹れ、凹凸がないスルホン化高分子膜の製造方法を提供する。【解決手段】芳香族環を有する高分子化合物(A)の芳香族環の一部分にスルホン酸基が置換された高分子化合物(B)からなるスルホン化高分子膜の製造方法であって、膜に張力をかけながら乾燥する工程、あるいは、膜を枠体に固定して乾燥する工程などを含む製造方法により達成される。
Claim (excerpt):
芳香族環を有する高分子化合物(A)の芳香族環の一部にスルホン酸基を有する高分子化合物(B)を用いてなるスルホン化高分子膜の製造方法であって、膜に張力を与えて乾燥する工程を含むスルホン化高分子膜の製造方法。
IPC (4):
C08J 5/18 CEZ ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  C08L101:02
FI (4):
C08J 5/18 CEZ ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10 ,  C08L101:02
F-Term (14):
4F071AA62 ,  4F071AG01 ,  4F071AG14 ,  4F071AG21 ,  4F071AG34 ,  4F071AH15 ,  4F071BB07 ,  4F071BC01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB03 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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