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J-GLOBAL ID:200903055620160932

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996066637
Publication number (International publication number):1997260535
Application date: Mar. 22, 1996
Publication date: Oct. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 表配線構造の採用によって弾性構造体を高精度に安定して配線基板に搭載し、半導体チップの接着工程を安定させて歩留まりの高い組み立てを行うことができる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 ボールグリッドアレイ形式の半導体パッケージであって、ボンディングパッドが形成された半導体チップ1、半導体チップ1に接着されるエラストマ2、エラストマ2に接着され、半導体チップ1のボンディングパッドにリードが接続される配線が形成されたフレキシブル配線基板3、フレキシブル配線基板3の主面上に形成されるソルダレジスト4、配線のバンプランドに接続されるはんだバンプ5から構成され、フレキシブル配線基板3のテープ9の半導体チップ1側にエラストマ2が接着され、かつ配線10のはんだバンプ5側にソルダレジスト4が形成された、いわゆる表配線構造となっている。
Claim (excerpt):
半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、前記配線基板の配線の一端側であるリード部を撓ませた状態で前記半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、かつ前記配線基板の配線の他端側であるランド部をバンプ電極と電気的に接続させてなる半導体集積回路装置であって、前記配線基板は基板基材の主面上に前記配線が形成されて、前記基板基材の裏面側に前記弾性構造体を配置させ、かつ前記配線の主面上に絶縁膜を形成させてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (2):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 R

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