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J-GLOBAL ID：200903055626441399

半導体装置の製造方法

Inventor： 長山 哲治 ,  門村 新吾 ,  辰巳 哲也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992325750
Publication number (International publication number)：1994177092
Application date： Dec. 04, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ウェハ保持に単極式静電チャックを用いた場合の後処理として必要な残留電荷除去を、照射損傷層やレジスト表面硬化層の除去を兼ねて行う。【構成】 単極式静電チャック1上にウェハ4上を保持しながらSiO2 層間絶縁膜をフルオロカーボン(FC)系ガスを用いてエッチングした後、(a)O2ガスを導入し、残留FC系ガスとの反応によりF* リッチなプラズマを生成させるか、または(b)一旦FC系ガスを排気してからO2 ガスを導入し、O* リッチなプラズマを生成させる。これらのプラズマを通じて残留電荷を除去すれば、前者(a)の場合は下地のたとえばシリコン系材料層表面に生じた照射損傷層を同時にライトエッチでき、後者(b)の場合は化学増幅型レジスト材料等からなるレジスト・マスクの表面硬化層を同時にアッシングできる。省エネルギー化に有効。

Claim (excerpt)：

ドライエッチング装置のウェハ・ステージ上に単極式静電チャックを用いてウェハを吸着保持し、このウェハ上のシリコン化合物層をフルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いてエッチングする第1の工程と、エッチング終了後に前記単極式静電チャックの残留電荷を除去する第2の工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記第2の工程ではO2 を含むプラズマ生成用ガスを用いることにより、前記第1の工程で前記シリコン化合物層の下地材料層の露出面に発生した照射損傷層を同時に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-026025
  
• 特開平4-009473
  
• 特開昭63-124527
  
• 特開昭62-089333