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J-GLOBAL ID：200903055637020018
高周波スイッチ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993353617
Publication number (International publication number)：1995202504
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 小型の高周波スイッチを提供する。【構成】 この高周波スイッチ10は積層体ないし多層基板12を含む。この多層基板12には、第1および第2のストリップラインとなる第1および第2のストリップライン電極およびインダクタとなるコイル電極などが内蔵される。しかも、第1および第2のストリップライン電極と、コイル電極とは、多層基板12内の1つの誘電体層の同一面上に形成される。さらに、この多層基板12の上には、第1ダイオード76,第2のダイオード78および第1,第2,第3および第4のチップ抵抗80,82,84および86などが実装される。
Claim (excerpt)：
送信回路,受信回路およびアンテナに接続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための高周波スイッチであって、前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側にカソードが接続される第1のダイオード、前記第1のダイオードのアノードに接続される第1のストリップライン、前記アンテナと前記受信回路との間に接続される第2のストリップライン、および前記受信回路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続される第2のダイオードを含み、前記第1のストリップラインと前記第2のストリップラインとは、多層基板に内蔵されるとともに、前記第1のストリップラインと前記第2のストリップラインとは、前記多層基板内の同一の層上に形成され、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとが、前記多層基板上に形成される、高周波スイッチ。
IPC (3)：
H01P 1/15
, H01P 1/213
, H04B 1/48
