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J-GLOBAL ID：200903055638057047

誘電体の製造方法及びそれを用いた誘電体及びコンデンサ

Inventor： 西薗 和博 ,  田島 健一
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000197269
Publication number (International publication number)：2002015943
Application date： Jun. 29, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】微細な導電性粒子を均一に分散させた誘電体を製造する方法を提供する。【解決手段】誘電体を主とするセラミック粉末と、導電性粉末とを含む成形体に、周波数が1〜60GHzのマイクロ波を照射し、前記成形体を加熱することにより、焼成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

誘電体セラミック粉末を主とし、導電性粉末を含む成形体に、周波数が1〜60GHzのマイクロ波を照射し、前記成形体を加熱することにより、焼成することを特徴とする誘電体の製造方法。

IPC (3)：

H01G 4/12 358 ,  C04B 35/622 ,  C04B 35/64

FI (3)：

H01G 4/12 358 ,  C04B 35/00 G ,  C04B 35/64 F

F-Term (18)：

4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA40 ,  4G030BA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA23 ,  5E001AB03 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AH00 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭58-023349
  
• チタン酸バリウム系半導体材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-271083   Applicant：宇部興産株式会社
• セラミック基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-285674   Applicant：松下電工株式会社
• 特開平3-267304
  
• 電圧非直線抵抗体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-302569   Applicant：松下電器産業株式会社
• 積層セラミック電子部品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052406   Applicant：株式会社東芝
• 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205031   Applicant：京セラ株式会社
• 特公昭58-023349
  
• 誘電体磁器材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-280492   Applicant：松下電器産業株式会社