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J-GLOBAL ID：200903055644419376

トンネルトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 植村 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996204774
Publication number (International publication number)：1998050730
Application date： Aug. 02, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 トンネルトランジスタにおけるトンネル電流密度を大きくするにはチャネル領域もしくはドレイン領域の不純物添加量を高くする必要があるが、不純物濃度の上限が限られ、必ずしも十分に電流密度を大きくできない場合があったが、本発明は、さらに高電流密度動作が可能なトンネルトランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上に、第1導電型半導体のドレイン層4、第2導電型半導体のソース層10および第2導電型半導体のチャネル層6を有し、該ドレイン層とチャネル層がバンド間トンネリング接合を形成しているトンネルトランジスタにおいて、前記ドレイン層またはチャネル層のいずれかのp型の導電型を示す半導体層の上または下面の少なくとも一方に接して、該層に対して引っ張り応力を有する層(引っ張り応力層)3を設けたことを特徴とするトンネルトランジスタ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、第1導電型半導体のドレイン層、第2導電型半導体のソース層および第2導電型半導体のチャネル層を有し、該ドレイン層とチャネル層がバンド間トンネリング接合を形成しているトンネルトランジスタにおいて、前記ドレイン層またはチャネル層のいずれかのp型の導電型を示す半導体層(以下、p型導電型層という。)の上または下面の少なくとも一方に接して、該層に対して引っ張り応力を有する層(以下、引っ張り応力層という。)を設けたことを特徴とするトンネルトランジスタ。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (4)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/80 A