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J-GLOBAL ID：200903055654720864

量子井戸型半導体発光素子

Inventor： 岡崎 治彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138743
Publication number (International publication number)：1993335682
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】障壁層に挟まれた層厚の薄い歪量子井戸層にかかる歪を大きくして結晶的な破壊を防止しつつ高性能化することを最も主要な特徴とする。【構成】バッファ層2 、ガイド層33を順次成長後、障壁層32によって、歪量子井戸層31-a,31-b,31-c,31-dが挟まれるように形成されている。このうち、ガイド層33に接触する歪量子井戸層31-aは圧縮歪率が最も小さい。歪量子井戸層31-bは歪量子井戸層31-aよりもやや圧縮歪率が大きく、歪量子井戸層31-c、31-dは歪量子井戸層31-bよりもさらに圧縮歪率が大きい。このように、ガイド層33よりも層厚の薄い障壁層32に挟まれた量子井戸の歪を大きくする構成。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に電子のド・ブロイ波長程度の厚さを有する量子井戸層、前記量子井戸層より層厚の大きい禁制帯幅の障壁層が具備され、前記量子井戸層が前記障壁層で狭まれて構成された複数の量子井戸構造からなる活性層を有する量子井戸型半導体発光素子において、前記複数の量子井戸層構造を構成する各量子井戸層と前記半導体基板の材料あるいは前記障壁層の材料との格子定数差がそれぞれ異なることを特徴とする量子井戸型半導体発光素子。