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J-GLOBAL ID:200903055660889536

形状測定装置及び形状測定方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003302265
Publication number (International publication number):2005069953
Application date: Aug. 27, 2003
Publication date: Mar. 17, 2005
Summary:
【課題】 半導体ウェハなどの試料を、断面形状などを非接触及び非破壊方式で計測する形状測定装置を提供する。【解決手段】 試料に対して走査方向の軸に沿って相対移動しながら試料の表面に電磁波または荷電粒子を照射する照射手段と、照射手段から照射され試料で反射した電磁波または試料から発生した荷電粒子の信号強度を検出する信号強度検出手段と、信号強度検出手段の検出出力を基に電磁波または荷電粒子の照射位置における試料表面の傾斜角を算出し、断面形状を測定する形状測定装置とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
試料に対して走査方向の軸に沿って相対移動しながら試料の表面に電磁波または荷電粒子を照射する照射手段と、照射手段から照射され試料で反射した電磁波または試料から発生した荷電粒子の信号強度を検出する信号強度検出手段と、信号強度検出手段の検出出力を基に電磁波または荷電粒子の照射位置における試料表面の傾斜角を算出し、断面形状を測定することを特徴とする形状測定装置。
IPC (1):
G01B15/04
FI (1):
G01B15/04
F-Term (14):
2F067AA32 ,  2F067AA52 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067EE03 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK08 ,  2F067NN06 ,  2F067PP13 ,  2F067RR12 ,  2F067RR20 ,  2F067RR42 ,  2F067SS13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)
  • 特開平1-311551
  • 特開平3-233310

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