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J-GLOBAL ID:200903055661774007

プロトン伝導膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002308885
Publication number (International publication number):2004146164
Application date: Oct. 23, 2002
Publication date: May. 20, 2004
Summary:
【課題】ガスバリヤ性及びプロトン伝導性に優れたプロトン伝導膜の提供。【解決手段】カチオン交換体又はアニオン交換体である層状粘土鉱物粉末と、該層状粘土鉱物粉末間を架橋する-O-SO2-O-基からなる架橋構造とを有することを特徴とする。また、カチオン交換体又はアニオン交換体であり、表面に酸点をもつ層状粘土鉱物粉末に硫酸及び硫酸の金属塩からなる群から選択される1以上の化合物である改質剤を作用することで得られることを特徴とする。つまり、層状粘土鉱物粉末間を架橋するリン酸由来の化合物をより強い酸である硫酸に変更することで、プロトン伝導能を向上させることができる。また、本発明のプロトン伝導膜は、層状粘土鉱物粉末をプロトン伝導性をもつ化合物で架橋することで、プロトン伝導性を担保したまま、ガス透過性を低減することができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
カチオン交換体又はアニオン交換体である層状粘土鉱物粉末と、該層状粘土鉱物粉末間を架橋する-O-SO2-O-基からなる架橋構造とを有することを特徴とするプロトン伝導膜。
IPC (4):
H01M8/02 ,  C01B33/40 ,  H01B1/06 ,  H01M8/10
FI (4):
H01M8/02 P ,  C01B33/40 ,  H01B1/06 A ,  H01M8/10
F-Term (30):
4G073BA30 ,  4G073BA63 ,  4G073BA70 ,  4G073BA76 ,  4G073BD15 ,  4G073BD18 ,  4G073CC03 ,  4G073CM09 ,  4G073CM13 ,  4G073CM14 ,  4G073CM17 ,  4G073CM21 ,  4G073CN07 ,  4G073FA30 ,  4G073FB29 ,  4G073FC22 ,  4G073FD04 ,  4G073FF02 ,  4G073FF03 ,  4G073FF07 ,  4G073UB13 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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