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J-GLOBAL ID：200903055666160538

半導体受光素子

Inventor： 工原 美樹 ,  山林 直之 ,  猪口 康博
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999260016
Publication number (International publication number)：2001085729
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【目的】 送信光λ1を発するLDと受信光λ2を受信するPDを同一のモジュール内に収容し、共通の光ファイバによって光信号を送受信するようにしたモジュールであってλ1がλ2より短波長であるとき、LDからの送信光がPDに入射して光学的クロストークをおこすのを防ぐようにした受光素子を与えること。【構成】 受光素子の基板の裏面にλ1を吸収する第1吸収層を、基板と受光層との間にλ1を吸収する第2吸収層を設け、WDMフィルタの漏れ光を第1、第2吸収層で除去し、斜方向や横からのλ1散乱光を第2吸収層で吸収する。送信光λ1がPD受光層にいたるのを完全に防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、半導体基板の上に設けられpn接合を有する受光層とを含み、受光層よりも吸収端波長の短い第1の吸収層を半導体基板より受光層に遠い側に少なくとも一つ設け、さらに受光層よりも吸収端波長の短い第2の吸収層を半導体基板より受光層に近い側に少なくとも一つ設けたことを特徴とする半導体受光素子。

F-Term (17)：

5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NA09 ,  5F049NA10 ,  5F049NB01 ,  5F049NB10 ,  5F049QA03 ,  5F049QA06 ,  5F049QA17 ,  5F049QA18 ,  5F049RA07 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ01 ,  5F049WA01