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J-GLOBAL ID：200903055671687510

導電性偏光板およびその製造方法

Inventor： 井上 一吉 ,  海上 暁 ,  大山 正嗣
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 中村 静男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994131788
Publication number (International publication number)：1995333438
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なものを製造することが容易な導電性偏光板と、その製造方法を提供する。【構成】 本発明の導電性偏光板は、偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とする。また、本発明の導電性偏光板の製造方法は、偏光板の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とする導電性偏光板。

IPC (4)：

G02B 5/30 ,  C23C 14/08 ,  G02B 1/08 ,  G02F 1/1335 510