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J-GLOBAL ID：200903055678816323

半導体装置の解析方法

Inventor： 三浦 千賀子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992209105
Publication number (International publication number)：1994061325
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 液晶を半導体素子表面に均一な厚さで塗布することができ、ウエハ状態でも解析を可能にする半導体装置の解析方法を得ることを目的とする。【構成】 電極部7を有する半導体装置6の表面に、液晶2を回転塗布した後、写真製版により上記電極部7のみを露出させ、上記半導体装置の解析をするように構成した。

Claim (excerpt)：

電極部を有する半導体装置の表面に、液晶を回転塗布した後、写真製版により上記電極部のみを露出させ、上記半導体装置を解析するようにしたことを特徴とする半導体装置の解析方法。