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J-GLOBAL ID：200903055713823346

表面処理方法および表面処理装置

Inventor： 小藤 直行 ,  辻本 和典 ,  水谷 巽 ,  鈴木 敬三 ,  水石 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995045258
Publication number (International publication number)：1996241885
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電子シェーディング現象に起因するノッチングやチャージアップダメージ、サブトレンチ、ボーイング等の発生を抑制する。【構成】 基板バイアスとして立ち上がり速度103 V/μs以上でデューティー比5 %以下のパルス電圧を印加する。【効果】 基板バイアスに電子を加速するサイクルが生じ、電子シェーディング現象が起こらなくなる。これによって、電子シェーディング現象に起因する諸問題が解消される。特にポリシリコンエッチングにおいては高選択かつノッチングの発生のないエッチングが可能となる。

Claim (excerpt)：

減圧処理室内に載置した被処理物にプラズマを供給する共に前記被処理物にバイアス電圧を印加することにより被処理物を処理する表面処理方法において、前記バイアス電圧として、立ち上がり速度103 V/μs以上のパルス波形の電圧を印加することを特徴とする表面処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 G