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J-GLOBAL ID：200903055719969881

真空処理装置

Inventor： 岩渕 勝彦
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997037164
Publication number (International publication number)：1998223621
Application date： Feb. 05, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高温のプロセスにおいてもOリングの変質を抑え、また被処理基板上に形成された絶縁膜の絶縁破壊を防止すること。【解決手段】 冷媒流路34が設けられた載置台本体31の上面にOリング32を介して第1の誘電体プレ-ト4を設け、この上に表面が静電チャックとして構成され、ヒ-タ53が埋設された第2の誘電体プレ-ト5を設ける。第1の誘電体プレ-ト4の表面は凹凸加工されており、第2の誘電体プレ-ト5との間に凹部41による隙間が形成されるように構成されている。SiOF膜の成膜処理の際、ヒ-タ53の熱は真空雰囲気である前記隙間には伝導しないため、第2の誘電体プレ-ト5と第1の誘電体プレ-ト4との間は熱伝導率は小さく、この間の温度勾配は大きい。従って第1の誘電体プレ-ト4の裏面側は200°C以下となるのでOリングの熱による変質が抑えられる。

Claim (excerpt)：

真空室と、この真空室内に設けられた被処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ-トに加熱手段と被処理基板吸着用の静電チャックを構成するための電極とを設け、この誘電体プレ-トを載置台本体の上に設けて前記載置台を構成した真空処理装置において、前記載置台本体の表面にリング状の樹脂製シ-ル材を介して接合された中間誘電体プレ-トと、前記シ-ル材で囲まれた領域に熱伝導用の気体を供給するための手段とを備え、前記中間誘電体プレ-トの表面に、前記静電チャックを構成する誘電体プレ-トを着脱自在に接合したことを特徴とする真空処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/68

FI (3)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/68 R