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J-GLOBAL ID：200903055746319511

III族窒化物半導体発光素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999157588
Publication number (International publication number)：2000349336
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】Si単結晶基板上に平坦で結晶性の優れたIII族窒化物半導体結晶から成る積層構造を形成し、特性に優れるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n形の導電性を有するSi単結晶基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層を、Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有するものとする。

Claim (excerpt)：

n形の導電性を有する珪素(Si)単結晶基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層が、前記Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20

F-Term (13)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F052KA02