III族窒化物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999157588
Publication number (International publication number)：2000349336
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】Si単結晶基板上に平坦で結晶性の優れたIII族窒化物半導体結晶から成る積層構造を形成し、特性に優れるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n形の導電性を有するSi単結晶基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層を、Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有するものとする。

Claim (excerpt)：

n形の導電性を有する珪素(Si)単結晶基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層が、前記Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20

F-Term (13)：

5F041AA04 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F052KA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192075 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-165111

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

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