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J-GLOBAL ID：200903055759427780

エッチングガス及びエッチング方法

Inventor： 輿石 公
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302139
Publication number (International publication number)：1997129612
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングするにあたり、エッチングレート及びアスペクト比が高く、しかも肩落ちのないエッチング特性を得る。【解決手段】 下記の構造式で示されるエッチングガスと、アルゴンガスとを1:10〜30の流量比率で処理室内に導入し、プラズマ雰囲気の下で該処理室内の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングする。【化7】

Claim (excerpt)：

下記の構造式で示されるエッチングガス。【化1】

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/12 ,  C23F 4/00

FI (4)：

H01L 21/302 F ,  C23F 1/12 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 C