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J-GLOBAL ID：200903055781141768

金属配線及びその形成方法

Inventor： 中崎 靖 ,  伊藤 仁 ,  南幅 学 ,  須黒 恭一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992196939
Publication number (International publication number)：1993190548
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、エレクトロマイグレーション耐性、ストレスマイグレーション耐性に優れた金属配線を得ることを目的とする。【構成】金属配線をチタン層7とモリブデン層9と銅合金層11との積層構造ととし、モリブデン層9の結晶面方位を(110)、銅合金層11の結晶面方位を(111)とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された金属V族及び金属VI族の元素の少なくとも1つを含む結晶面方位が(110)の下層配線と、この下層配線上に形成された銅,銀,金のうち少なくとも1つを主成分とする配線とを有することを特徴とする金属配線。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/46

FI (2)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-049450
  
• 特開昭59-124765
  
• 特開昭63-205951
  
• 特開平1-280335