Pat

J-GLOBAL ID：200903055785998280

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

Inventor： 岩佐 成人 ,  長浜 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172042
Publication number (International publication number)：1993343742
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化ガリウム系化合物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 サファイア基板を研磨して薄くする工程と、p型層の一部をn型層までエッチングする工程と、n型層をサファイア基板までエッチング、またはダイシングする工程と、サファイア基板をダイシング、またはスクライビングにより切断する工程とを具備する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にn型およびp型の窒化ガリウム系化合物半導体が順に積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、サファイア基板を研磨して薄くする工程と、p型層の一部をn型層までエッチングする工程と、n型層をサファイア基板までエッチング、またはダイシングする工程と、サファイア基板をダイシング、またはスクライビングにより切断する工程と、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/78