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J-GLOBAL ID：200903055790169357
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992186653
Publication number (International publication number)：1994037112
Application date： Jul. 14, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 チャネル幅の比較的大なる薄膜トランジスタにおいても、充分そのキャリアの移動方向を横切る方向の粒界の発生を抑制して、より確実に活性層内の膜質を均一化してトランジスタの移動度μ等のばらつきを抑えて、薄膜トランジスタの高性能化をはかる。【構成】 基板1上に少なくとも非晶質半導体層3を形成した後、非晶質半導体層3の活性領域が形成される領域に、キャリアの移動方向と垂直な方向に延長する線状パターンに輻射線を照射して線状に結晶成長核を形成した後、低温加熱により固相結晶成長して単結晶領域14を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも非晶質半導体層を形成した後、上記非晶質半導体層の活性領域が形成される領域に、キャリアの移動方向と垂直な方向に延長する線状パターンに輻射線を照射して線状に結晶成長核を形成した後、低温加熱により固相結晶成長して単結晶領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/268
