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J-GLOBAL ID：200903055791750550
電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994146004
Publication number (International publication number)：1996018125
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】大面積基板上に同時に均一に作製でき、またゲートに印加する電圧によってソース・ドレイン間電流を大きく変調させることができ、かつ、その動作が安定で、素子の寿命も長く、作製方法も簡便であるFET、その製造法及びそのようなFETを用いたコントラストが高く,安価,安定で長寿命の液晶表示装置を提供すること。【構成】電界効果型トランジスタにおいて、半導体層にイオン化ポテンシャルが4.8eV以上の共役系オリゴマーを用いることを特徴とする電界効果型トランジスタ及び該電界効果型トランジスタを用いた液晶表示装置。また、上記化合物の溶液を用い、湿式法により半導体層を作製する電界効果型トランジスタの製造法。また、上記化合物を用い、レーザー加工法及び紫外線照射法によって該半導体層をパターンニングする電界効果型トランジスタの製造法。
Claim (excerpt)：
イオン化ポテンシャルが4.8eV 以上の共役系オリゴマーを半導体層に用いることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 51/00
, C08G 61/12 NLJ
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
H01L 29/28
, H01L 29/78 311 B
