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J-GLOBAL ID：200903055795912023

機能素子およびその製造方法

Inventor： 三浦 博 ,  羽賀 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265551
Publication number (International publication number)：1993251685
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ヘテロエピタキシャル成長で形成する高品質化し、機能デバイスの特性向上を目的としている。【構成】 基体と、基体を構成する原子と結合した硫黄原子または硫黄原子を含有する化合物よりなる少なくとも単原子層と、その基体上に形成した少なくても一種以上の薄膜より構成される機能素子。

Claim (excerpt)：

基体と、基体を構成する原子と結合した硫黄原子もしくは硫黄原子を含有する化合物よりなる少なくとも単原子層と、その基体上に形成した少なくとも一種類以上の薄膜より構成されることを特徴とする機能素子。

IPC (2)：

H01L 27/15 ,  H05B 33/00